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guias:proteccion_contra_polaridad_inversa [2018/10/02 23:40] Jose Manuel Mariño Mariño [1.4.- EJEMPLO DE DISEÑO: FQP47P06] |
guias:proteccion_contra_polaridad_inversa [2018/10/03 07:28] Jose Manuel Mariño Mariño [2.- PROTECCIÓN DE PUERTA.] |
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Línea 85: | Línea 85: | ||
Lo primero que debemos tener en cuenta son cosas obvias: | Lo primero que debemos tener en cuenta son cosas obvias: | ||
- | * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión máxima drenador-fuente (VDS) sea superior a la tensión de trabajo de nuestro circuito. | + | * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión máxima drenador-fuente (**V< |
- | * Deberemos elegir un MOSFET cuya intensidad máxima drenador-fuente (IDS) sea superior a la intensidad que va a consumir el circuito al que queremos proteger. | + | * Deberemos elegir un MOSFET cuya intensidad máxima drenador-fuente (**I< |
- | * Deberemos elegir un MOSFET cuya resistencia | + | * Deberemos elegir un MOSFET cuya resistencia |
+ | * Por supuesto, no debemos exceder la potencia máxima que pueda disipar el MOSFET. El análisis térmico también es necesario para saber si debemos añadir un disipador. | ||
Y en segundo lugar debemos tener en cuenta una cosa que no es tan obvia: | Y en segundo lugar debemos tener en cuenta una cosa que no es tan obvia: | ||
- | * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión de umbral de puerta sea lo suficientemente baja para garantizar que el MOSFET entra en conducción en la zona óhmica. | + | * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión de umbral de puerta |
* Esto es importante sobre todo si estamos diseñando un circuito que trabaje a una tensión baja. | * Esto es importante sobre todo si estamos diseñando un circuito que trabaje a una tensión baja. | ||
- | * Los MOSFET de uso general tienen una tensión de umbral que es excesivamente alta comparada con los niveles de tensión que manejan los circuitos digitales (5V,3V3). | + | * Los MOSFET de uso general tienen una tensión de umbral que es excesivamente alta comparada con los niveles de tensión que manejan los circuitos digitales (5V, 3V3). |
* Afortunadamente hay familias de MOSFET expresamente diseñadas para estos casos, en los que un circuito digital trabajando a 5V ó 3.3V puede activar perfectamente el MOSFET. | * Afortunadamente hay familias de MOSFET expresamente diseñadas para estos casos, en los que un circuito digital trabajando a 5V ó 3.3V puede activar perfectamente el MOSFET. | ||
* Así como debemos asegurar que la tensión del trabajo hará entrar en conducción al MOSFET adecuadamente, | * Así como debemos asegurar que la tensión del trabajo hará entrar en conducción al MOSFET adecuadamente, | ||
- | En este tipo de circuitos, la resistencia de puerta | + | En este tipo de circuitos, la resistencia de puerta |
Línea 176: | Línea 177: | ||
Como podemos observar, a partir de una **V< | Como podemos observar, a partir de una **V< | ||
- | Podemos decir entonces que nuestro | + | Podemos decir entonces que el MOSFET |
Obviamente, estamos dando por hecho que también cumple el resto de parámetros de diseño, como potencia disipada, valores de tensión e intensidad máximos, etc. Eso también es necesario comprobarlo, | Obviamente, estamos dando por hecho que también cumple el resto de parámetros de diseño, como potencia disipada, valores de tensión e intensidad máximos, etc. Eso también es necesario comprobarlo, | ||
Línea 242: | Línea 243: | ||
En las características de este diodo tenemos: | En las características de este diodo tenemos: | ||
- | **I< | + | * **I< |
- | **P< | + | |
- | **I< | + | |
+ | |||
+ | **I< | ||
- | **I< | ||
**I< | **I< | ||
Línea 257: | Línea 259: | ||
En realidad, este caso es un poco irreal, porque si usamos una LiPo pequeña, la tensión normalmente también será pequeña, y entonces no necesitaríamos el Zener de protección. Pero que nos valga el ejemplo para tener presente que siempre hay que tener en mente todos los aspectos a la hora de diseñar un circuito. | En realidad, este caso es un poco irreal, porque si usamos una LiPo pequeña, la tensión normalmente también será pequeña, y entonces no necesitaríamos el Zener de protección. Pero que nos valga el ejemplo para tener presente que siempre hay que tener en mente todos los aspectos a la hora de diseñar un circuito. | ||
- | Como hemos comentado antes, la intensidad | + | Como hemos comentado antes, la intensidad |
Si vamos a hacer trabajar el Zener a 1 mA, entonces la corriente que atravesará la resistencia de puerta **R< | Si vamos a hacer trabajar el Zener a 1 mA, entonces la corriente que atravesará la resistencia de puerta **R< |