Muestra las diferencias entre dos versiones de la página.
Ambos lados, revisión anteriorRevisión previaPróxima revisión | Revisión previaÚltima revisiónAmbos lados, revisión siguiente | ||
guias:proteccion_contra_polaridad_inversa [2018/10/03 07:10] – [1.3.- CRITERIOS DE DISEÑO.] Jose Manuel Mariño Mariño | guias:proteccion_contra_polaridad_inversa [2018/10/03 11:14] – [4.- ESPERA, ESPERA... ME ACABO DE DAR CUENTA DE UNA COSA.] Jose Manuel Mariño Mariño | ||
---|---|---|---|
Línea 177: | Línea 177: | ||
Como podemos observar, a partir de una **V< | Como podemos observar, a partir de una **V< | ||
- | Podemos decir entonces que nuestro | + | Podemos decir entonces que el MOSFET |
Obviamente, estamos dando por hecho que también cumple el resto de parámetros de diseño, como potencia disipada, valores de tensión e intensidad máximos, etc. Eso también es necesario comprobarlo, | Obviamente, estamos dando por hecho que también cumple el resto de parámetros de diseño, como potencia disipada, valores de tensión e intensidad máximos, etc. Eso también es necesario comprobarlo, | ||
Línea 243: | Línea 243: | ||
En las características de este diodo tenemos: | En las características de este diodo tenemos: | ||
- | **I< | + | * **I< |
- | **P< | + | |
- | **I< | + | |
+ | |||
+ | **I< | ||
- | **I< | ||
**I< | **I< | ||
Línea 258: | Línea 259: | ||
En realidad, este caso es un poco irreal, porque si usamos una LiPo pequeña, la tensión normalmente también será pequeña, y entonces no necesitaríamos el Zener de protección. Pero que nos valga el ejemplo para tener presente que siempre hay que tener en mente todos los aspectos a la hora de diseñar un circuito. | En realidad, este caso es un poco irreal, porque si usamos una LiPo pequeña, la tensión normalmente también será pequeña, y entonces no necesitaríamos el Zener de protección. Pero que nos valga el ejemplo para tener presente que siempre hay que tener en mente todos los aspectos a la hora de diseñar un circuito. | ||
- | Como hemos comentado antes, la intensidad | + | Como hemos comentado antes, la intensidad |
Si vamos a hacer trabajar el Zener a 1 mA, entonces la corriente que atravesará la resistencia de puerta **R< | Si vamos a hacer trabajar el Zener a 1 mA, entonces la corriente que atravesará la resistencia de puerta **R< | ||
Línea 314: | Línea 315: | ||
Para el caso del MOSFET-N también lo hemos colocado al revés. En un MOSFET-N la corriente **I< | Para el caso del MOSFET-N también lo hemos colocado al revés. En un MOSFET-N la corriente **I< | ||
- | //Es cierto, lo habéis puesto al revés. ¿Por qué?// | + | //Es cierto, lo habéis puesto al revés |
- | La razón es que si colocásemos el MOSFET | + | La razón es que si colocásemos el MOSFET respetando su uso habitual, con la fuente al positivo de la batería y el drenador conectado a la carga, el diodo intrínseco que hay en todos los MOSFET nos mandaría el invento al garete. |
El secreto es que el diodo intrínseco esté polarizado directamente en el uso normal, y que se bloquee en el modo de protección. Eso solo es posible usando el MOSFET al revés. | El secreto es que el diodo intrínseco esté polarizado directamente en el uso normal, y que se bloquee en el modo de protección. Eso solo es posible usando el MOSFET al revés. | ||
Si usásemos el MOSFET como $DEITY manda, el circuito de protección no serviría de nada porque al conectar la alimentación al revés, el diodo intrínseco comenzaría a conducir, y nuestro querido circuito empezaría a perder su humo mágico. | Si usásemos el MOSFET como $DEITY manda, el circuito de protección no serviría de nada porque al conectar la alimentación al revés, el diodo intrínseco comenzaría a conducir, y nuestro querido circuito empezaría a perder su humo mágico. |