Diferencias

Muestra las diferencias entre dos versiones de la página.

--- guias:proteccion_contra_polaridad_inversa [2018/10/02 23:29] – [3.- ¿PODEMOS USAR MOSFET DE CANAL N?] Jose Manuel Mariño Mariño
+++ guias:proteccion_contra_polaridad_inversa [2021/04/16 20:41] (actual) – editor externo 127.0.0.1
@@ Línea 85: / Línea 85: @@
 Lo primero que debemos tener en cuenta son cosas obvias:
-  * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión máxima drenador-fuente (VDS) sea superior a la tensión de trabajo de nuestro circuito.
+  * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión máxima drenador-fuente (**V<sub>DS</sub>**) sea superior a la tensión de trabajo de nuestro circuito.
-  * Deberemos elegir un MOSFET cuya intensidad máxima drenador-fuente (IDS) sea superior a la intensidad que va a consumir el circuito al que queremos proteger.
+  * Deberemos elegir un MOSFET cuya intensidad máxima drenador-fuente (**I<sub>DS</sub>**) sea superior a la intensidad que va a consumir el circuito al que queremos proteger.
-  * Deberemos elegir un MOSFET cuya resistencia RDS(on) sea lo suficientemente baja para que, teniendo en cuenta la intensidad que va a consumir nuestro circuito, no provoque una excesiva caída de tensión.
+  * Deberemos elegir un MOSFET cuya resistencia **R<sub>DS(on)</sub>** sea lo suficientemente baja para que, teniendo en cuenta la intensidad que va a consumir nuestro circuito, no provoque una excesiva caída de tensión.
+  * Por supuesto, no debemos exceder la potencia máxima que pueda disipar el MOSFET. El análisis térmico también es necesario para saber si debemos añadir un disipador.
 Y en segundo lugar debemos tener en cuenta una cosa que no es tan obvia:
-  * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión de umbral de puerta sea lo suficientemente baja para garantizar que el MOSFET entra en conducción en la zona óhmica.
+  * Deberemos elegir un MOSFET cuya tensión de umbral de puerta **V<sub>GSth</sub>** sea lo suficientemente baja para garantizar que el MOSFET entra en conducción en la zona óhmica.
   * Esto es importante sobre todo si estamos diseñando un circuito que trabaje a una tensión baja.
-  * Los MOSFET de uso general tienen una tensión de umbral que es excesivamente alta comparada con los niveles de tensión que manejan los circuitos digitales (5V,3V3).
+  * Los MOSFET de uso general tienen una tensión de umbral que es excesivamente alta comparada con los niveles de tensión que manejan los circuitos digitales (5V, 3V3).
   * Afortunadamente hay familias de MOSFET expresamente diseñadas para estos casos, en los que un circuito digital trabajando a 5V ó 3.3V puede activar perfectamente el MOSFET.
   * Así como debemos asegurar que la tensión del trabajo hará entrar en conducción al MOSFET adecuadamente, debemos también proteger la puerta de una tensión excesiva, si fuese necesario.
-En este tipo de circuitos, la resistencia de puerta RGATE tan solo tiene como función mantener polarizada la puerta. La puerta del MOSFET podría ir conectada directamente al negativo de la batería, pero eso a veces provoca oscilaciones en el MOSFET durante las conmutaciones debido a las capacidades parásitas de puerta, y por eso se le añade una resistencia para limitar la velocidad de conmutación. Con un valor de 100K o similar funcionará perfectamente. Si se tratase de un circuito donde el MOSFET estuviese conmutando continuamente a altas frecuencias, el cálculo de la resistencia de puerta tendría más importancia. Pero para un circuito de protección donde el MOSFET conmuta una sola vez al conectar la alimentación, no merece la pena profundizar en este apartado.
+En este tipo de circuitos, la resistencia de puerta **R<sub>GATE</sub>** tan solo tiene como función mantener polarizada la puerta. La puerta del MOSFET podría ir conectada directamente al negativo de la batería, pero eso a veces provoca oscilaciones en el MOSFET durante las conmutaciones debido a las capacidades parásitas de puerta, y por eso se le añade una resistencia para limitar la velocidad de conmutación. Con un valor de 100K o similar funcionará perfectamente. Si se tratase de un circuito donde el MOSFET estuviese conmutando continuamente a altas frecuencias, el cálculo de la resistencia de puerta tendría más importancia. Pero para un circuito de protección donde el MOSFET conmuta una sola vez al conectar la alimentación, no merece la pena profundizar en este apartado.
@@ Línea 166: / Línea 167: @@
 Analicemos ahora qué tal se comportaría nuestro MOSFET con diferentes tensiones de puerta:
-  * Para **VG<sub>GS</sub>** = -4.5V, tenemos una **I<sub>DS</sub>** de entre 2A y 3A, más cerca del 3. **V<sub>DS</sub>** estaría todavía cerca de los 20V. En esta zona de la gráfica podemos ver mejor los valores de intensidad que los de tensión, así que utilizaremos los de intensidad y calcularemos los de tensión. Si hacemos los cálculos con 3A, la tensión en la carga sería de 3V, y por tanto **V<sub>DS</sub>** = 17V. No podemos negar que el MOSFET ha comenzado a conducir, pero desde luego no es el punto de trabajo que nos interesa. Estamos claramente en la zona de saturación, y la potencia disipada por el MOSFET sería inasumible (3A * 17V = 51W).
+  * Para **V<sub>GS</sub>** = -4.5V, tenemos una **I<sub>DS</sub>** de entre 2A y 3A, más cerca del 3. **V<sub>DS</sub>** estaría todavía cerca de los 20V. En esta zona de la gráfica podemos ver mejor los valores de intensidad que los de tensión, así que utilizaremos los de intensidad y calcularemos los de tensión. Si hacemos los cálculos con 3A, la tensión en la carga sería de 3V, y por tanto **V<sub>DS</sub>** = 17V. No podemos negar que el MOSFET ha comenzado a conducir, pero desde luego no es el punto de trabajo que nos interesa. Estamos claramente en la zona de saturación, y la potencia disipada por el MOSFET sería inasumible (3A * 17V = 51W).
   * Para **V<sub>GS</sub>** = -5.0V, tenemos una **I<sub>DS</sub>** de casi 8A. Con **I<sub>DS</sub>** = 8A tenemos **V<sub>DS</sub>** = 20V - 8A * 1Ω = 2V. Podemos decir ya claramente que el MOSFET conduce, pero tampoco hemos llegado a la zona óhmica.
   * Para **V<sub>GS</sub>** = -5.5V, tenemos una **V<sub>DS</sub>** de 3V (ahora tomaremos de la gráfica los valores de **V<sub>DS</sub>** porque tenemos más precisión que en los de intensidad). Para una **V<sub>DS</sub>** de 3V, **I<sub>DS</sub>** = 17A. Podemos decir ya que estamos cerca de la zona óhmica.
@@ Línea 176: / Línea 177: @@
 Como podemos observar, a partir de una **V<sub>GS</sub>** de -6V nuestro MOSFET se encuentra ya claramente en la zona óhmica. Dado que nuestro circuito de ejemplo trabaja a 20V, la tensión de puerta en modo de funcionamiento normal será de -20V (realmente será ligeramente menor, debido a la caída de tensión entre drenador y fuente), lo que excede de sobra la tensión necesaria para que el MOSFET entre en la zona óhmica.
-Podemos decir entonces que nuestro MOSFET es válido para nuestro diseño.
+Podemos decir entonces que el MOSFET que hemos escogido es válido para nuestro diseño.
 Obviamente, estamos dando por hecho que también cumple el resto de parámetros de diseño, como potencia disipada, valores de tensión e intensidad máximos, etc. Eso también es necesario comprobarlo, pero en esta guía nos estamos centrando en cómo comprobar si nuestro MOSFET trabajará en la zona correcta.
@@ Línea 242: / Línea 243: @@
 En las características de este diodo tenemos:
-**I<sub>ZK</sub>** = 0.25 mA
+  * **I<sub>ZK</sub>** = 0.25 mA
-**P<sub>MAX</sub>** = 1 W
+  * **P<sub>MAX</sub>** = 1 W
-**I<sub>ZT</sub>** = 25 mA
+  * **I<sub>ZT</sub>** = 25 mA
+**I<sub>ZK</sub>**, la corriente de codo (o de rodilla, o como queramos llamarla), es de 0.25 mA. Es decir, que cuando el Zener está cerca de entrar en conducción inversa, la corriente es de 0.25 mA. Podríamos tomar este valor como corriente mínima, aunque en este punto seguramente la tensión todavía no haya alcanzado los 10V nominales. Esta corriente marca el punto en el que el Zéner comienza a entrar en conducción un inversa.
-**I<sub>ZK</sub>**, la corriente de rodilla, es de 0.25 mA. Es decir, que cuando el Zener está cerca de entrar en conducción inversa, la corriente es de 0.25 mA. Podríamos tomar este valor como corriente mínima, aunque en este punto seguramente la tensión todavía no haya alcanzado los 10V nominales.
 **I<sub>ZT</sub>** es la corriente de test que ha usado el fabricante en sus ensayos.
@@ Línea 257: / Línea 259: @@
 En realidad, este caso es un poco irreal, porque si usamos una LiPo pequeña, la tensión normalmente también será pequeña, y entonces no necesitaríamos el Zener de protección. Pero que nos valga el ejemplo para tener presente que siempre hay que tener en mente todos los aspectos a la hora de diseñar un circuito.
-Como hemos comentado antes, la intensidad de rodilla (el codo que forma la gráfica en la zona en la que el Zener comienza a conducir) es de 0.25mA. Si fijamos una corriente de trabajo del Zener de 1mA, va que arde.
+Como hemos comentado antes, la intensidad mínima, en el codo de la curva característica donde el Zéner comienza a conducir, es de 0.25mA. Si fijamos una corriente de trabajo del Zener de 1mA, va que arde.
 Si vamos a hacer trabajar el Zener a 1 mA, entonces la corriente que atravesará la resistencia de puerta **R<sub>GATE</sub>** será también de 1mA (recordemos que por la puerta no circula corriente).
@@ Línea 307: / Línea 309: @@
 //¿Eh, pero cómo que al revés? ¿Está todo mal? ¿La explicación no vale para nada?//
-En un MOSFET de canal P, la corriente IDS toma valores negativos. Consultad las especificaciones de cualquier MOSFET-P y lo veréis. Eso quiere decir que la corriente entra por la fuente y sale por el drenador (tomando el sentido convencional de la corriente que va de positivo a negativo).
+En un MOSFET de canal P, la corriente **I<sub>DS</sub>** toma valores negativos. Consultad las especificaciones de cualquier MOSFET-P y lo veréis. Eso quiere decir que la corriente entra por la fuente y sale por el drenador (tomando el sentido convencional de la corriente que va de positivo a negativo).
 Si os fijáis, en todos nuestros circuitos hemos conectado el drenador del MOSFET-P al positivo de la batería, y la fuente a la carga. Es decir, que en nuestros circuitos la corriente del MOSFET-P circula al revés, entrando por el drenador y saliendo por la fuente hacia la carga.
-Para el caso del MOSFET-N también lo hemos colocado al revés. En un MOSFET-N la corriente IDS es positiva, es decir entra por el drenador y sale por la fuente, mientras que en nuestro esquema entra por la fuente y sale por el drenador.
+Para el caso del MOSFET-N también lo hemos colocado al revés. En un MOSFET-N la corriente **I<sub>DS</sub>** es positiva, es decir entra por el drenador y sale por la fuente, mientras que en nuestro esquema entra por la fuente y sale por el drenador.
-//Es cierto, lo habéis puesto al revés. ¿Por qué?//
+//Es cierto, lo habéis puesto al revés de como suele ponerse. ¿Por qué?//
-La razón es que si colocásemos el MOSFET al revés, respetando su uso habitual, el diodo intrínseco que hay en todos los MOSFET nos mandaría el invento al garete.
+La razón es que si colocásemos el MOSFET respetando su uso habitual, con la fuente al positivo de la batería y el drenador conectado a la carga, el diodo intrínseco que hay en todos los MOSFET nos mandaría el invento al garete.
 El secreto es que el diodo intrínseco esté polarizado directamente en el uso normal, y que se bloquee en el modo de protección. Eso solo es posible usando el MOSFET al revés.
 Si usásemos el MOSFET como $DEITY manda, el circuito de protección no serviría de nada porque al conectar la alimentación al revés, el diodo intrínseco comenzaría a conducir, y nuestro querido circuito empezaría a perder su humo mágico.

Bricolabs Wiki

Herramientas de usuario

Herramientas del sitio

Diferencias

Herramientas de la página